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GIS局部放電主要由下列缺陷引發(fā)

GIS局部放電主要由下列缺陷引發(fā):
*載流導體表面缺陷:如毛刺,尖角,等引起導體表面電廠強度不均勻,這種缺陷通常在制造或安裝時造成的,在穩(wěn)定的工頻電壓下不易引起擊穿,但在操作或沖擊電壓下很可能引起擊穿。
*
絕緣子表面缺陷:如制造質(zhì)量**,絕緣子有氣泡或裂紋,安裝**下的污跡,塵埃等。
*GIS
筒內(nèi)在制造和安裝過程中存在的自由導電微粒。
*
導體部分接觸**。
AIAcompact主要特點:
1
可連接聲波傳感器
2
可連接特高頻(UHF)傳感器(300MHz-2GHz
3
儀器自動識別傳感器類型
4
內(nèi)置可充電電池,攜帶方便,測量快速
5
紅外同步裝置
6
RS232接口,連接電腦可進行深入技術分析
7
高靈敏度:1mv1pc
8
LCD顯示屏
9
三種顯示模式

滬公網(wǎng)安備 31010602002582號

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